第 15 讲:磁力、带电粒子与磁介质

上一讲解决了“电流如何产生磁场”,这一讲解决反过来的问题:磁场如何作用于运动电荷、载流导线和物质内部的微观磁矩。

洛伦兹力

正负电荷在磁场中运动时洛伦兹力方向的右手定则

带电量 qq 的粒子在电磁场中受力

F=q(E+v×B).\mathbf F =q(\mathbf E+\mathbf v\times\mathbf B).

磁力部分始终垂直于速度:

FB⋅v=0.\mathbf F_B\cdot\mathbf v=0.

所以单纯磁场不改变单个粒子的速率和动能,只改变速度方向。若只画受力后看见轨道弯曲,不能因此说“磁力给粒子加了速”。

均匀磁场中的轨道

将速度分解为 v=v∥+v⊥\mathbf v=\mathbf v_{\parallel}+\mathbf v_\perp。

  • v∥B\mathbf v\parallel\mathbf B 时磁力为零,粒子沿磁场线匀速运动;
  • v⊥B\mathbf v\perp\mathbf B 时做匀速圆周运动;
  • 两个分量都有时,合成沿磁场线的螺旋运动。

非相对论情形下,

r=mv⊥∣q∣B,ωc=∣q∣Bm,T=2πm∣q∣B.r=\frac{mv_\perp}{|q|B}, \qquad \omega_c=\frac{|q|B}{m}, \qquad T=\frac{2\pi m}{|q|B}.

螺距为

h=v∥T.h=v_{\parallel}T.

当速度接近光速时,周期不再与速度无关,不能继续套非相对论回旋周期。

非均匀磁场中,粒子的螺旋半径会随 BB 改变。缓慢进入强场区时,粒子可能被磁镜反射;两端强、中间弱的磁场构成磁瓶。课件用这一图像解释磁约束、范艾伦辐射带和极光。

载流导线的安培力

导线里大量载流子的洛伦兹力宏观化后,电流元受力

dF=I dℓ×B.d\mathbf F=I\,d\boldsymbol\ell\times\mathbf B.

整段导线受力为

F=I∫dℓ×B.\mathbf F=I\int d\boldsymbol\ell\times\mathbf B.

直导线长 ll,均匀磁场与电流夹角 θ\theta 时,F=IlBsin⁡θF=IlB\sin\theta。任意闭合电流回路在均匀磁场中的合力为

F=I∮dℓ×B=0,\mathbf F =I\oint d\boldsymbol\ell\times\mathbf B=0,

但合力矩不一定为零。

两根相距 aa 的无限长平行导线,单位长度受力

Fl=μ0I1I22πa.\frac Fl =\frac{\mu_0I_1I_2}{2\pi a}.

同向电流相吸,反向电流相斥。

载流线圈的磁矩

NN 匝平面线圈面积为 SS,定义

m=NISn^.\mathbf m=NIS\hat{\mathbf n}.

在均匀磁场中,线圈合力为零,力矩为

τ=m×B,\boldsymbol\tau=\mathbf m\times\mathbf B,

势能为

U=−m⋅B.U=-\mathbf m\cdot\mathbf B.

m\mathbf m 与 B\mathbf B 同向是稳定平衡。在非均匀场中,线圈还可受净力;对尺寸很小的磁偶极子,可用势能的空间梯度求力。

导线可以在磁场中受力做宏观机械功,与“磁力对单个电荷不做功”不矛盾:维持电流的电源与约束载流子的导体格点同时参与了能量转换。

速度选择器、质谱仪和霍尔效应

交叉电磁场中,若电力和磁力反向,直线通过的粒子满足

qE=qvB,v=EB.qE=qvB, \qquad v=\frac EB.

再让这些粒子进入单独磁场,由 r=mv/(∣q∣B)r=mv/(|q|B) 可分离不同荷质比,这就是质谱仪的基本逻辑。

载流薄板放入垂直板面的磁场后,载流子横向偏转,直到横向电场力抵消磁力。若薄板厚度为 dd,载流子数密度为 nn,则霍尔电压

UH=IBnqd.U_H=\frac{IB}{nqd}.

电压正负可判断载流子符号,大小可用于求载流子密度或测量磁场。

介质为什么会磁化

课件以安培的“分子电流”图像组织磁介质:原子内电子轨道运动和自旋都贡献微观磁矩。外磁场会改变这些磁矩的大小或取向,产生宏观磁化。

定义磁化强度

M=lim⁡ΔV→0∑miΔV,\mathbf M =\lim_{\Delta V\to0} \frac{\sum\mathbf m_i}{\Delta V},

单位为 A/m\mathrm{A/m}。磁化可等效为束缚电流:

Jb=∇×M,Kb=M×n^.\mathbf J_{\mathrm b}=\nabla\times\mathbf M, \qquad \mathbf K_{\mathrm b}=\mathbf M\times\hat{\mathbf n}.

均匀磁化介质内部 Jb=0\mathbf J_{\mathrm b}=0,但表面仍有等效面电流 Kb\mathbf K_{\mathrm b}。它与真正跨越宏观尺度运输电荷的传导电流不同,但两者都会产生磁场。

B\mathbf B、H\mathbf H、M\mathbf M

引入磁场强度

H=Bμ0−M,\mathbf H=\frac{\mathbf B}{\mu_0}-\mathbf M,

于是恒定场中

∮LH⋅dl=Ifree,enc,\oint_L\mathbf H\cdot d\mathbf l =I_{\mathrm{free,enc}},

右边只数自由传导电流。得到 H\mathbf H 后,还要用介质的磁化关系求 M\mathbf M 和真正决定磁力的 B\mathbf B。

对线性各向同性弱磁质,

M=χmH,\mathbf M=\chi_{\mathrm m}\mathbf H, B=μ0(H+M)=μ0(1+χm)H=μH.\mathbf B =\mu_0(\mathbf H+\mathbf M) =\mu_0(1+\chi_{\mathrm m})\mathbf H =\mu\mathbf H.
  • 顺磁质 χm>0\chi_{\mathrm m}>0,外场被微弱加强;
  • 抗磁质 χm<0\chi_{\mathrm m}<0,外场被微弱削弱;
  • 铁磁质中 B\mathbf B 与 H\mathbf H 强烈非线性,不能把 μ\mu 当作常数。

铁磁质由磁畴构成。外场促使磁畴转向或有利取向的磁畴长大;去掉外场后可保留剩磁。BB-HH 关系形成磁滞回线,回线面积对应每个循环的磁滞损耗。温度超过居里点后,铁磁性消失而转为顺磁性。

磁场的边界条件

取分界面法线 n^\hat{\mathbf n} 由介质 1 指向介质 2。由磁高斯定理,

(B2−B1)⋅n^=0,(\mathbf B_2-\mathbf B_1)\cdot\hat{\mathbf n}=0,

即 BnB_n 总连续。由 H\mathbf H 的环路定理,

n^×(H2−H1)=Kf,\hat{\mathbf n}\times(\mathbf H_2-\mathbf H_1) =\mathbf K_{\mathrm f},

其中 Kf\mathbf K_{\mathrm f} 是界面上的自由面电流密度。界面无自由面电流时,HtH_t 连续,但 BtB_t 可因磁导率不同而跳变。高磁导率材料会让磁感线更倾向在材料内闭合,因此可用于磁屏蔽,但效果与理想导体的静电屏蔽不同。

最后只记一条主线

源电流先决定 H\mathbf H,介质在 H\mathbf H 下产生 M\mathbf M,两者共同决定

B=μ0(H+M).\mathbf B=\mu_0(\mathbf H+\mathbf M).

粒子和载流导线的磁力要用 B\mathbf B,而只包自由电流的环路积分要用 H\mathbf H。把这两个角色调换,是磁介质题最常见的错误。

评论