第 12 讲:导体静电平衡与电容

导体中有可以宏观移动的自由电荷。只要导体内存在电场分量,这些电荷就会继续移动。所以“静电平衡”不是没发生过什么,而是电荷经过重新分布后,导体内不再有宏观定向运动。

静电平衡的四个结论

  1. 导体内部的总电场为零:E=0\mathbf E=0;
  2. 导体是等势体,其表面是等势面;
  3. 紧邻导体外表面的电场垂直表面,切向分量为零;
  4. 过剩静电荷分布在导体表面。

若导体内部存在场,自由电荷就会受力,与“平衡”矛盾。若表面有切向场,表面电荷也会继续沿表面移动。

在导体表面外作一个很薄的高斯柱,得

Enout−Enin=σε0.E_n^{\mathrm{out}}-E_n^{\mathrm{in}} =\frac{\sigma}{\varepsilon_0}.

导体内 Enin=0E_n^{\mathrm{in}}=0,因此真空一侧紧邻表面有

Eout=σε0n^.\mathbf E_{\mathrm{out}} =\frac{\sigma}{\varepsilon_0}\hat{\mathbf n}.

这个 Eout\mathbf E_{\mathrm{out}} 是所有电荷共同产生的总场,不是“就近这一小块表面电荷单独产生的场”。

表面形状和尖端放电

孤立导体达到同一电势时,曲率大、更尖锐处往往有更大的面电荷密度,因而附近电场更强。当电场超过空气击穿阈值,空气被电离,形成尖端放电。避雷针、高压设备的圆滑电极都在利用或抑制这一效应。

“尖端电荷多”是定性规律,不是一个可对任意几何直接套的定量公式。

导体空腔与静电屏蔽

导体腔内没有电荷时,静电平衡下腔内场为零,内表面不带净电荷。外部电荷会改变导体外表面的感应电荷,但不会把电场送进封闭腔内,这就是对外场的静电屏蔽。

若腔内放入净电荷 qq,内表面总感应电荷必为 −q-q,才能使导体材料内 E=0\mathbf E=0。若导体本身原先中性,外表面会出现总量 +q+q。

课件特别提醒:不要说“腔外电荷在腔内不产生电场”。正确说法是:外电荷的场与感应电荷的场在腔内正好抵消。

把屏蔽导体接地后,它的电势被固定在地电势,电荷可以与大地交换。因此“接地”不等于“导体电荷必为零”。

有导体时怎样列方程

课件中的平行大金属板、同心导体球系统都用同一套条件:

  • 每个独立导体的电荷守恒,除非它已接地或与其他导体连接;
  • 导体材料内 E=0\mathbf E=0;
  • 相连的导体电势相等;
  • 高斯定理给出各个表面包围的净电荷。

不要凭“靠近正电荷就应该是负电”猜所有表面电荷,应当用这四类方程联立。

电容的定义

孤立导体的电容定义为 C=Q/UC=Q/U,两导体构成电容器时,

C=Q∣U1−U2∣.C=\frac{Q}{|U_1-U_2|}.

在线性介质中,CC 只由导体几何形状、相对位置和介质决定,不随 QQ 或 UU 的大小改变。“C=Q/UC=Q/U”是定义关系,不是说向同一电容器多充一点电就会让电容变大。

真空中的典型电容为:

C孤立球=4πε0R,C_{\text{孤立球}}=4\pi\varepsilon_0R, C平行板=ε0Sd(S≫d2,忽略边缘效应),C_{\text{平行板}} =\frac{\varepsilon_0S}{d} \quad(S\gg d^2,忽略边缘效应), C球形=4πε0R1R2R2−R1,C_{\text{球形}} =4\pi\varepsilon_0 \frac{R_1R_2}{R_2-R_1}, C同轴柱形=2πε0lln⁡(R2/R1).C_{\text{同轴柱形}} =\frac{2\pi\varepsilon_0l}{\ln(R_2/R_1)}.

计算电容的定义法是:假设两极板带 ±Q\pm Q,由高斯或叠加求 E\mathbf E,积分得电势差 U=∫E⋅dlU=\int\mathbf E\cdot d\mathbf l,最后用 C=Q/UC=Q/U。

串联和并联

理想电容器串联时,中间节点没有其他电荷来源,每只电容器电荷量大小相等,电压相加:

1Ceq=∑i1Ci.\frac1{C_{\mathrm{eq}}} =\sum_i\frac1{C_i}.

并联时各电容器电压相等,电荷相加:

Ceq=∑iCi.C_{\mathrm{eq}}=\sum_iC_i.

判断串并联应看节点和电势,不能只看图上的摆放方向。

一页式解题检查

  • 是否先写了导体材料内 E=0E=0?
  • 导体是孤立、相连还是接地?这决定是保电荷还是保电势;
  • 求表面场时,是否把它当成了所有电荷的总场?
  • 求电容时,是否先求了真正的两端电势差?
  • 使用平行板公式时,题目是否允许忽略边缘效应?

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